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参考设计

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使用高压 GaN 器件提高电源可靠性

amy2025 2025-06-06

氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率，与具有相同额定电压的硅 FET 相比，具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中......

GaN 电源

数字电源控制推进 GaN PFC 设计

amy2025 2025-05-23

我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告，该系列针对电源控制应用进行了优化。Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括：·片上窗口比较器。·......

电源控制 GaN

高端 FET 负载开关入门第 1 部分

amy2025 2025-05-20

高端负载开关及其操作仍然是许多工程师和设计师的热门选择，适用于电池供电的便携式设备，例如功能丰富的手机、移动GPS设备和消费娱乐小工具。本文采用一种易于理解且非数学的方法来解释基于 MOSFET 的高侧负载开关的各个方面......

负载开关 FET

高端 FET 负载开关入门第 2 部分

amy2025 2025-05-20

栅极控制栅极控制块或电平转换块控制 MOSFET 的 V G 以将其打开或关闭。门控的输出直接由它从输入逻辑块接收的输入 决定。在导通期间，栅极控制的主要任务是对 EN 进行电平转换，以产生高(N 沟道)或低(P 沟道)......

负载开关 FET

动态测试证实了 SiC 开关频率的准确性

amy2025 2025-05-20

碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......

氮化镓(GaN) 碳化硅(SiC)

电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

amy2025 2025-05-16

碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......

电力电子 碳化硅 GaN

基于FET的100W功率音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

这是基于一对FET元件在最终放大过程中构建的100W功率音频放大器电路图。 FET 元件使用一对 K134 和 J49，这些 FET 的替代品是 J162 和 K1058 的组合。 8欧姆扬声器的输出功率约为100W。对......

FET PCB设计 扬声器 电路图 音频放大器

基于FET的100W音频放大器电路图

fanxiaoxi 2024-10-25

该 100W 音频放大器设计采用两个 V-MOSFET 晶体管技术作为输出级，可在 4 Ω 负载下提供 100W 输出。重要的是，通过添加散热器或风扇等方式使输出级的晶体管保持凉爽。对于这种高功率场效应晶体管放大器，使用......

FET MOSFET 晶体管 电路图 音频放大器

PMU Mode Operation for the MAX

fanxiaoxi 2022-12-12

PMU Mode OperaTIon for the MAX9979 Pin-Electronics ICAbstract: This applicaTIon note describes the operaTIon o......

Mode

高速FET输入仪表放大器电路图

dolphin 2017-08-31

下图所示电路是一款高速FET输入、增益为5的仪表放大器，具有35 MHz宽带宽和10 MHz时55 dB的出色交流共模抑制（CMR）性能。该电路适用于需要高输入阻抗、快速仪表放大器的应用，包括RF、视频、光学信号检测和高......

高速 FET 输入 仪表 放大器 电路
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